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      可控硅動態無功功率補償器是近年來研制開發的新型動態無功補償器，采用可控硅投切電容器組，克服了原有的靜態補償器的一些技術缺陷。故對于可控硅動態補償器的技術優勢作以下說明：

      1、可控硅無功功率補償器采用大功率無觸點開關作為電容器組的投切開關。
      2、可控硅觸發采用光電觸發技術。可控硅觸發采用光控技術、實現一次系統和二次系統隔離，解決了諧波干擾問題，保證準確、可靠的觸發可控硅。
      3、響應時間小于20ms。可快速投入電容器，從采集補償信號到可控硅觸發導通一個周期內完成，即20ms響應，這就適應了快速變化負荷的動態跟蹤補償。
      4、電容器投入實現過零投切。
      5、電抗器的設計。諧波的出現導致純補償時代的結束，要杜絕純補償所引起的諧波放大和惡劣作用，就是配備適當電抗率的電抗器。
      6、合理的電容器匹配。可控硅動態無功功率補償器所采用的電容器是經特殊設計的單相電容器，電容器參數的選擇經過精確的計算，要求較高，完全可以保證質量和使用壽命，有效避免電容器爆炸，造成總閘跳閘等事故。
      7、對三相不平衡負荷補償的獨立控制技術。
      8、抑制諧波，保護設備安全運行。
      9、完善的保護措施。過壓、欠壓、短路、速斷、防雷擊及操作過電壓等保護，保護措施齊全。
      10、提高功率因數后的經濟效益。可控硅動態無功功率補償器可快速跟蹤負荷無功功率自動投切，大大減少功率損耗。

      STT標準型晶閘管投切模塊技術源自德國，我司在充分消化吸收德國技術和先進制造工藝的基礎上，研制出了擁有自主知識產權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術保證電壓過零觸發，電流過零斷開，真正實現投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應時間小于15ms，很好地取代傳統投切裝置。